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Veuillez utiliser cette adresse pour citer ce document : https://hdl.handle.net/20.500.12177/1809
Titre: Contribution à l'étude de la structure électronique du silicium amorphe pur et du silicium amorphe hydrogène
Auteur(s): Kré, Raymond N'Guessan
Directeur(s): Thomas, André
Mots-clés: Silicium amorphe hydrogène
Silicium amorphe pur
Structure électronique
Date de publication: 14-déc-1993
Editeur: Université Pierre et Marie Curie (Paris VI)
Pagination / Nombre de pages: 120
URI/URL: https://dicames.online/jspui/handle/20.500.12177/1809
Collection(s) :Thèses soutenues

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